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SGI02N120XKSA1

SGI02N120XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGI02N120XKSA1
PNEDA Teilenummer SGI02N120XKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.920
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SGI02N120XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGI02N120XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGI02N120XKSA1, SGI02N120XKSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 376,76 KB)
PDFSGI02N120XKSA1 Datenblatt Cover
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SGI02N120XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.2A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A
Leistung - max62W
Schaltenergie220µJ
EingabetypStandard
Gate Charge11nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/260ns
Testbedingung800V, 2A, 91Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketPG-TO262-3-1

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

147W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/250ns

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Module

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-SMPD™.B

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3FS

IRGB15B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

220µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/184ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

92ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGP4620D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

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