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IGW15T120FKSA1

IGW15T120FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGW15T120FKSA1
PNEDA Teilenummer IGW15T120FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.112
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGW15T120FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGW15T120FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGW15T120FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypNPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Leistung - max110W
Schaltenergie2.7mJ
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/520ns
Testbedingung600V, 15A, 56Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/165ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4BC30KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGD10NC60KT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IXGH16N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

9.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/400ns

Testbedingung

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

NGTD13T65F2SWK

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

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Surface Mount

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