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FGM603

FGM603

Nur als Referenz

Teilenummer FGM603
PNEDA Teilenummer FGM603
Beschreibung IGBT 600V 30A 60W TO3PF
Hersteller Sanken
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGM603 Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGM603
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGM603, FGM603 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 170,02 KB)
PDFFGM603 Datenblatt Cover
FGM603 Datenblatt Seite 2 FGM603 Datenblatt Seite 3 FGM603 Datenblatt Seite 4

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FGM603 Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max60W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.130ns/340ns
Testbedingung300V, 30A
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-3PF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

770nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

120ns/890ns

Testbedingung

600V, 100A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

APT25GP90BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/55ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGWT30V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RJP60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/90ns

Testbedingung

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/365ns

Testbedingung

960V, 55A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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