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IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX55N120A3H1
PNEDA Teilenummer IXGX55N120A3H1
Beschreibung IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGX55N120A3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX55N120A3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGX55N120A3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)125A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 55A
Leistung - max460W
Schaltenergie5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge185nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/365ns
Testbedingung960V, 55A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGB30N6S2T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

430W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/168ns

Testbedingung

960V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

108A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

255A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

5.9mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

850V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RJP60F0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

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