FGA6530WDF
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGA6530WDF |
| PNEDA Teilenummer | FGA6530WDF |
| Beschreibung | IGBT 650V 60A 176W TO3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA6530WDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA6530WDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA6530WDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 176W |
| Schaltenergie | 960µJ (on), 162µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 37.4nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/42.4ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 81ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max 370W Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/185ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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