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STGWT30V60F

STGWT30V60F

Nur als Referenz

Teilenummer STGWT30V60F
PNEDA Teilenummer STGWT30V60F
Beschreibung IGBT 600V 60A 260W TO3PF
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 15.600
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STGWT30V60F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWT30V60F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWT30V60F, STGWT30V60F Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.471,93 KB)
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STGWT30V60F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
Leistung - max260W
Schaltenergie383µJ (on), 233µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge163nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/189ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 4V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/152ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGA40S65SH

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

194µJ (on), 388µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/68.8ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

RGS80TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

3mJ (on), 3.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/199ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

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Schaltenergie

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Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

600V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

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