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RJH65T04BDPMA0#T2F

RJH65T04BDPMA0#T2F

Nur als Referenz

Teilenummer RJH65T04BDPMA0#T2F
PNEDA Teilenummer RJH65T04BDPMA0-T2F
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH65T04BDPMA0#T2F Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH65T04BDPMA0#T2F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH65T04BDPMA0#T2F, RJH65T04BDPMA0#T2F Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 730,38 KB)
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RJH65T04BDPMA0#T2F Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 30A
Leistung - max65W
Schaltenergie360µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge74nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/115ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80ns
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallSC-94
LieferantengerätepaketTO-3PFP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

71nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220F

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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