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STGD19N40LZ

STGD19N40LZ

Nur als Referenz

Teilenummer STGD19N40LZ
PNEDA Teilenummer STGD19N40LZ
Beschreibung IGBT 20V 40A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGD19N40LZ Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD19N40LZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD19N40LZ, STGD19N40LZ Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.060,08 KB)
PDFSTGD19N40LZ Datenblatt Cover
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STGD19N40LZ Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 4.5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.650ns/13.5µs
Testbedingung300V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264

IKQ50N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/297ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

SIGC158T120R3LEX1SA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IKP08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

70µJ (on), 20µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

445nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/237ns

Testbedingung

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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