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STGD19N40LZ

STGD19N40LZ

Nur als Referenz

Teilenummer STGD19N40LZ
PNEDA Teilenummer STGD19N40LZ
Beschreibung IGBT 20V 40A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGD19N40LZ Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD19N40LZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD19N40LZ, STGD19N40LZ Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.060,08 KB)
PDFSTGD19N40LZ Datenblatt Cover
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STGD19N40LZ Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 4.5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.650ns/13.5µs
Testbedingung300V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IRG4PH40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

730µJ (on), 1.66mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/200ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IKQ50N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/297ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

IRG4PSC71K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

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Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

Betriebstemperatur

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