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IKP08N65F5XKSA1

IKP08N65F5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP08N65F5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKP08N65F5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKP08N65F5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP08N65F5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKP08N65F5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A
Leistung - max70W
Schaltenergie70µJ (on), 20µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.10ns/116ns
Testbedingung400V, 4A, 48Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)41ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

180µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

262ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

DGTD65T50S1PT

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

770µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

287nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/328ns

Testbedingung

400V, 50A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4PC30UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

160µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/78ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 35A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

390µJ (on), 632µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

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100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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