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SIGC158T120R3LEX1SA2

SIGC158T120R3LEX1SA2

Nur als Referenz

Teilenummer SIGC158T120R3LEX1SA2
PNEDA Teilenummer SIGC158T120R3LEX1SA2
Beschreibung IGBT 1200V 150A DIE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.420
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SIGC158T120R3LEX1SA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIGC158T120R3LEX1SA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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SIGC158T120R3LEX1SA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 150A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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FGP15N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

370µJ (on), 67µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.3ns/54.8ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

82.4ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IXGL75N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Leistung - max

430W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

RJH60D2DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

100µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/85ns

Testbedingung

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

IKB15N65EH5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

105W

Schaltenergie

400µJ (on), 80µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/145ns

Testbedingung

400V, 15A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

SGL5N150UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

190µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/30ns

Testbedingung

600V, 5A, 10Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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