RJH60D2DPP-M0#T2
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| Teilenummer | RJH60D2DPP-M0#T2 |
| PNEDA Teilenummer | RJH60D2DPP-M0-T2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.714 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJH60D2DPP-M0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH60D2DPP-M0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH60D2DPP-M0#T2, RJH60D2DPP-M0#T2 Datenblatt
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RJH60D2DPP-M0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 34W |
| Schaltenergie | 100µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/85ns |
| Testbedingung | 300V, 12A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FL |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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