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FGA25N120ANDTU

FGA25N120ANDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA25N120ANDTU
PNEDA Teilenummer FGA25N120ANDTU
Beschreibung IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.060
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA25N120ANDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA25N120ANDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA25N120ANDTU, FGA25N120ANDTU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 569,52 KB)
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FGA25N120ANDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
Leistung - max310W
Schaltenergie4.8mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/170ns
Testbedingung600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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RGW60TS65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

FGA40T65UQDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.67V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

989µJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/271ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

APT40GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 352µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 3A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 3A, 330Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Kürzlich verkauft

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

MBR0530T1G

MBR0530T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

ADM7150ARDZ-5.0

ADM7150ARDZ-5.0

Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 800MA 8SOIC

NC7SB3157P6X

NC7SB3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC70-6

ABM8-24.000MHZ-D2-T

ABM8-24.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

SUCS62412C

SUCS62412C

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

TR3C107K010C0100

TR3C107K010C0100

Vishay Sprague

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312