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FGA40T65UQDF

FGA40T65UQDF

Nur als Referenz

Teilenummer FGA40T65UQDF
PNEDA Teilenummer FGA40T65UQDF
Beschreibung IGBT 650V 80A 231W TO3PN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGA40T65UQDF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA40T65UQDF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA40T65UQDF, FGA40T65UQDF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 849,68 KB)
PDFFGA40T65UQDF Datenblatt Cover
FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 2 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 3 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 4 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 5 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 6 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 7 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 8 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 9 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 10 FGA40T65UQDF Datenblatt Seite 11

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FGA40T65UQDF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.67V @ 15V, 40A
Leistung - max231W
Schaltenergie989µJ (on), 310µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge306nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/271ns
Testbedingung400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)89ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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IXGR40N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/116ns

Testbedingung

480V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 AA (IXSA)

NGTB40N120SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

535W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/286ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IGB50N65S5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

1.23mJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/139ns

Testbedingung

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

MGB15N40CLT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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