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IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGB50N65S5ATMA1
PNEDA Teilenummer IGB50N65S5ATMA1
Beschreibung IGBT PRODUCTS
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGB50N65S5ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGB50N65S5ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGB50N65S5ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 50A
Leistung - max270W
Schaltenergie1.23mJ (on), 740µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/139ns
Testbedingung400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

FGH75T65UPD-F085

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

578nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/166ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IGC50T120T8RQX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 50A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

STGF17NC60SD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

135µJ (on), 815µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.5ns/175ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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