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STGF17NC60SD

STGF17NC60SD

Nur als Referenz

Teilenummer STGF17NC60SD
PNEDA Teilenummer STGF17NC60SD
Beschreibung IGBT 600V 17A 32W TO220FP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 22.644
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Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGF17NC60SD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGF17NC60SD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGF17NC60SD, STGF17NC60SD Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 374,26 KB)
PDFSTGF17NC60SD Datenblatt Cover
STGF17NC60SD Datenblatt Seite 2 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 3 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 4 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 5 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 6 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 7 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 8 STGF17NC60SD Datenblatt Seite 9

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STGF17NC60SD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)17A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 12A
Leistung - max32W
Schaltenergie135µJ (on), 815µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge54.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17.5ns/175ns
Testbedingung480V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed 2™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/120ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.37mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

220ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGH30T65UPDT-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

760µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/139ns

Testbedingung

400V, 30A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

APT25GT120BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Leistung - max

347W

Schaltenergie

930µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/150ns

Testbedingung

800V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT20GT60BRDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

215µJ (on), 245µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

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ADG3308BRUZ

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NC7SV74K8X

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S29JL064J60TFI003

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IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

AT25F2048N-10SU-2.7

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IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC

ADUM1402BRWZ

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DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

IRF5210SPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

CP2105-F01-GM

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IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN