APT25GT120BRG
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| Teilenummer | APT25GT120BRG |
| PNEDA Teilenummer | APT25GT120BRG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 54A 347W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.290 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT25GT120BRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GT120BRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT25GT120BRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 347W |
| Schaltenergie | 930µJ (on), 720µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14ns/150ns |
| Testbedingung | 800V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A Leistung - max 88W Schaltenergie 56µJ (on), 78.5µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 400V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 310W Schaltenergie 4.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/170ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
