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IXYH16N170CV1

IXYH16N170CV1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH16N170CV1
PNEDA Teilenummer IXYH16N170CV1
Beschreibung IGBT 1.7KV 40A TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXYH16N170CV1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH16N170CV1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH16N170CV1, IXYH16N170CV1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 215,3 KB)
PDFIXYH16N170CV1 Datenblatt Cover
IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 2 IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 3 IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 4 IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 5 IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 6 IXYH16N170CV1 Datenblatt Seite 7

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IXYH16N170CV1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 16A
Leistung - max310W
Schaltenergie2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge56nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.11ns/140ns
Testbedingung850V, 16A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

210A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

3mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/133ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

HGTG20N60C3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

164W

Schaltenergie

500µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

91nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/151ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 17A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/500ns

Testbedingung

800V, 17A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

76W

Schaltenergie

570µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

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