Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDC6327C

FDC6327C FDC6327C

Nur als Referenz

Teilenummer FDC6327C
PNEDA Teilenummer FDC6327C
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 259.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDC6327C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDC6327C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDC6327C, FDC6327C Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 278,57 KB)
PDFFDC6327C Datenblatt Cover
FDC6327C Datenblatt Seite 2 FDC6327C Datenblatt Seite 3 FDC6327C Datenblatt Seite 4 FDC6327C Datenblatt Seite 5 FDC6327C Datenblatt Seite 6 FDC6327C Datenblatt Seite 7 FDC6327C Datenblatt Seite 8 FDC6327C Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDC6327C Datasheet
  • where to find FDC6327C
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDC6327C
  • FDC6327C PDF Datasheet
  • FDC6327C Stock

  • FDC6327C Pinout
  • Datasheet FDC6327C
  • FDC6327C Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDC6327C Price
  • FDC6327C Distributor

FDC6327C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 10V
Leistung - max700mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketSuperSOT™-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

NVMFD5C650NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

DMN6022SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 14A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 30V

Leistung - max

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRFI4019HG-117P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Leistung - max

18W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-220-5 Full-Pak

AO4807_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

LTC6363IMS8#PBF

LTC6363IMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8MSOP

AS5145B-HSSM

AS5145B-HSSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1024PPR

HCPL-181-060E

HCPL-181-060E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV TRANS 4MINIFLAT

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

TIC246M-S

TIC246M-S

Bourns

TRIAC 600V 16A TO220

IRM-20-24

IRM-20-24

MEAN WELL

AC/DC CONVERTER 24V 22W

EVM-3VSX50B14

EVM-3VSX50B14

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 10K OHM 0.15W J LEAD TOP

ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

L7805ABD2T-TR

L7805ABD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

TDA06H0SB1

TDA06H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

ADM3252EABCZ

ADM3252EABCZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 4CH RS232 44BGA

WSLP1206R0500FEA

WSLP1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 1206