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IXGR24N120C3D1

IXGR24N120C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR24N120C3D1
PNEDA Teilenummer IXGR24N120C3D1
Beschreibung IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR24N120C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR24N120C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR24N120C3D1, IXGR24N120C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 162,49 KB)
PDFIXGR24N120C3D1 Datenblatt Cover
IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGR24N120C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.37mJ (on), 470µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/93ns
Testbedingung600V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)220ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/180ns

Testbedingung

960V, 35A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

SGM2N60UFTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

2.1W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

IXDR30N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

NGTB30N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 30A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/250ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGH40N60SMDF-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

122nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

BAT54-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3

MAX16808AUI+

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Maxim Integrated

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Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

302R29W102KV4E

302R29W102KV4E

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CAP CER 1000PF 3KV X7R 1808

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Microchip Technology

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RES 0.02 OHM 1% 1W 2512

ESD5V0D3-TP

ESD5V0D3-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 5V 15.5V SOD323

IXGA20N120A3

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IXYS

IGBT 1200V 40A 180W TO263

S25FL208K0RMFI041

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IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

ES2D

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DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

D5V0L4B5SO-7

D5V0L4B5SO-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 14V SOT353

STM32H743VIT6

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IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100LQFP