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IXGR24N120C3D1

IXGR24N120C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR24N120C3D1
PNEDA Teilenummer IXGR24N120C3D1
Beschreibung IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR24N120C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR24N120C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR24N120C3D1, IXGR24N120C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 162,49 KB)
PDFIXGR24N120C3D1 Datenblatt Cover
IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGR24N120C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGR24N120C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.37mJ (on), 470µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/93ns
Testbedingung600V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)220ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

122nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

2.1W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

409µJ (on), 258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/84ns

Testbedingung

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4PC40U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/110ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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