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IXGR35N120B

IXGR35N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR35N120B
PNEDA Teilenummer IXGR35N120B
Beschreibung IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.570
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IXGR35N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR35N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR35N120B, IXGR35N120B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 49,14 KB)
PDFIXGR35N120C Datenblatt Cover
IXGR35N120C Datenblatt Seite 2

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IXGR35N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 35A
Leistung - max200W
Schaltenergie3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/180ns
Testbedingung960V, 35A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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FGH40T65SH-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.01mJ (on), 297µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/65.6ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IXGT28N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/175ns

Testbedingung

480V, 28A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IGP30N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

188A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

490A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

1150W

Schaltenergie

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/123ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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