FGH75T65UPD-F085
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| Teilenummer | FGH75T65UPD-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGH75T65UPD-F085 |
| Beschreibung | IGBT 650V 150A 375W TO-247AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH75T65UPD-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75T65UPD-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH75T65UPD-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 578nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/166ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max 375W Schaltenergie 600µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/130ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max 290W Schaltenergie 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/104ns Testbedingung 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 25A Leistung - max 192W Schaltenergie 3.4mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 89ns/235ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 3A Leistung - max 50W Schaltenergie 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6.7ns/46ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
