FGH50T65UPD
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| Teilenummer | FGH50T65UPD | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGH50T65UPD | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V 100A 340W TO-247AB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.081 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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FGH50T65UPD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH50T65UPD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH50T65UPD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 340W |
| Schaltenergie | 2.7mJ (on), 740µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 195W Schaltenergie 410µJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/150ns Testbedingung 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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