FGB3245G2-F085
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGB3245G2-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGB3245G2-F085 |
| Beschreibung | ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGB3245G2-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB3245G2-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGB3245G2-F085, FGB3245G2-F085 Datenblatt
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FGB3245G2-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 450V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 900ns/5.4µs |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A Leistung - max 313W Schaltenergie 340µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/210ns Testbedingung 600V, 25A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 770ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 25W Schaltenergie 236µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/118ns Testbedingung 800V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A Leistung - max 223W Schaltenergie 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 117ns/285ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 77ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
