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IXGX120N60B

IXGX120N60B IXGX120N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX120N60B
PNEDA Teilenummer IXGX120N60B
Beschreibung IGBT 600V 200A 660W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.092
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGX120N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX120N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX120N60B, IXGX120N60B Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 471,8 KB)
PDFIXGK120N60B Datenblatt Cover
IXGK120N60B Datenblatt Seite 2 IXGK120N60B Datenblatt Seite 3 IXGK120N60B Datenblatt Seite 4 IXGK120N60B Datenblatt Seite 5

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IXGX120N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 120A
Leistung - max660W
Schaltenergie2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/200ns
Testbedingung480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

2.1W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

150µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/125ns

Testbedingung

400V, 6A, 14.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

82A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 21A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

1.95mJ (on), 1.71mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

800V, 21A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Module

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

9.7mJ (on), 21.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

400nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/340ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

54ns

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Paket / Fall

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