IXGX120N60B
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Teilenummer | IXGX120N60B |
PNEDA Teilenummer | IXGX120N60B |
Beschreibung | IGBT 600V 200A 660W TO247 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.092 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX120N60B Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXGX120N60B |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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IXGX120N60B Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | HiPerFAST™ |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 120A |
Leistung - max | 660W |
Schaltenergie | 2.4mJ (on), 5.5mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 350nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/200ns |
Testbedingung | 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 125W Schaltenergie 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 15A, 56Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 45A Leistung - max 300W Schaltenergie 360µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/151ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 498ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max 2.1W Schaltenergie 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/80ns Testbedingung 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223-4 |
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