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IXA20RG1200DHG-TUB

IXA20RG1200DHG-TUB

Nur als Referenz

Teilenummer IXA20RG1200DHG-TUB
PNEDA Teilenummer IXA20RG1200DHG-TUB
Beschreibung IGBT 1200V 32A 125W SMPD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXA20RG1200DHG-TUB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA20RG1200DHG-TUB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA20RG1200DHG-TUB, IXA20RG1200DHG-TUB Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 174,22 KB)
PDFIXA20RG1200DHG-TUB Datenblatt Cover
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IXA20RG1200DHG-TUB Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
Leistung - max125W
Schaltenergie1.55mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 15A, 56Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-SMD Module
LieferantengerätepaketISOPLUS-SMPD™.B

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.15V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

560nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

STGD10NC60KT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

APT50GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 637µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/83ns

Testbedingung

400V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

SKB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

138W

Schaltenergie

530µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/209ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

111ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

IKY75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/303ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

292ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Kürzlich verkauft

SMAJ36CA

SMAJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AC

ISL6124IRZA-T

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Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

74ACT08SC

74ACT08SC

ON Semiconductor

IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

SMBJ15A-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

XC7Z020-1CLG400C

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Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 667MHZ 400BGA

LTC6993IS6-1#TRMPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC MONO MULTIVIBRATOR TSOT23-6

DEA1X3D470JN2A

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Murata

CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

ADP3330ARTZ-5-RL7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 200MA SOT23-6

PSMN4R5-30YLC,115

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MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

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OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO