IXGK400N30A3
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGK400N30A3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXGK400N30A3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 300V 400A 1000W TO264AA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 43 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXGK400N30A3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGK400N30A3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGK400N30A3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 400A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 1200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.15V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 1000W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 560nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 (IXGK) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 250W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/600ns Testbedingung 480V, 40A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 25A Leistung - max 122W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/70ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 9.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/400ns Testbedingung 1360V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 25A Leistung - max 192W Schaltenergie 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/235ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
