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RJP60F0DPE-00#J3

RJP60F0DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60F0DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJP60F0DPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 50A 122W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 7.452
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RJP60F0DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60F0DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJP60F0DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 25A
Leistung - max122W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/70ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

70µJ (on), 30µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/115ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRGC4069B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

600µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/130ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

303ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

196nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/123ns

Testbedingung

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.36mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/235ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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