APT75GN120LG
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT75GN120LG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT75GN120LG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 200A 833W TO264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 97 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT75GN120LG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GN120LG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GN120LG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 833W |
| Schaltenergie | 8620µJ (on), 11400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 425nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/620ns |
| Testbedingung | 800V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller Global Power Technologies Group Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 329W Schaltenergie 4.5mJ (on), 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 330nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/245ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 450ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 116A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 750A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A Leistung - max 500W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 400nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 45W Schaltenergie 650µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/135ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 55A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/150ns Testbedingung 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
