RJH60D5DPM-00#T1
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| Teilenummer | RJH60D5DPM-00#T1 |
| PNEDA Teilenummer | RJH60D5DPM-00-T1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 45W TO3PFM |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.838 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJH60D5DPM-00#T1 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH60D5DPM-00#T1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH60D5DPM-00#T1, RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt
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RJH60D5DPM-00#T1 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A |
| Leistung - max | 45W |
| Schaltenergie | 650µJ (on), 270µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/135ns |
| Testbedingung | 300V, 37A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFM |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 2.5A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 60nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/225ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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