HGTP2N120CN
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| Teilenummer | HGTP2N120CN |
| PNEDA Teilenummer | HGTP2N120CN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 13A 104W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP2N120CN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP2N120CN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTP2N120CN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 13A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Leistung - max | 104W |
| Schaltenergie | 96µJ (on), 355µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/205ns |
| Testbedingung | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 4.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
