IGC50T120T8RQX1SA1
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| Teilenummer | IGC50T120T8RQX1SA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGC50T120T8RQX1SA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGC50T120T8RQX1SA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGC50T120T8RQX1SA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGC50T120T8RQX1SA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.42V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/110ns Testbedingung 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 440A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 70A Leistung - max 695W Schaltenergie 1.9mJ (on), 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 143nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/120ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Variation Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 180µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 262ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max 68W Schaltenergie 215µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/220ns Testbedingung 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
