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IXYP15N65C3D1M

IXYP15N65C3D1M

Nur als Referenz

Teilenummer IXYP15N65C3D1M
PNEDA Teilenummer IXYP15N65C3D1M
Beschreibung IGBT 650V 16A 48W TO-220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.608
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IXYP15N65C3D1M Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYP15N65C3D1M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYP15N65C3D1M Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max48W
Schaltenergie270µJ (on), 230µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/68ns
Testbedingung400V, 15A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

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Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

129nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/5.4µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 12A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

150mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/70ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

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ON Semiconductor

Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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