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IXGC16N60B2

IXGC16N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGC16N60B2
PNEDA Teilenummer IXGC16N60B2
Beschreibung IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.426
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IXGC16N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGC16N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGC16N60B2, IXGC16N60B2 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 86,73 KB)
PDFIXGC16N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGC16N60B2D1 Datenblatt Seite 2

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IXGC16N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 12A
Leistung - max63W
Schaltenergie150mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/70ns
Testbedingung400V, 12A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS220™
LieferantengerätepaketISOPLUS220™

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4µs/15µs

Testbedingung

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

950µJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

113nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRGS4045DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

IRG6B330UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.76V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/176ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4BC30K-STRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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