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SGS6N60UFDTU

SGS6N60UFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGS6N60UFDTU
PNEDA Teilenummer SGS6N60UFDTU
Beschreibung IGBT 600V 6A 22W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGS6N60UFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGS6N60UFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGS6N60UFDTU, SGS6N60UFDTU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 593,22 KB)
PDFSGS6N60UFDTU Datenblatt Cover
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SGS6N60UFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 3A
Leistung - max22W
Schaltenergie57µJ (on), 25µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/60ns
Testbedingung300V, 3A, 80Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)52ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IRG4RC10SDTRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGD7NC60HT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

95µJ (on), 115µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18.5ns/72ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

RJH60D1DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

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Diodes Incorporated

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

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