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RJH60D1DPE-00#J3

RJH60D1DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D1DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJH60D1DPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 20A 52W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D1DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D1DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D1DPE-00#J3, RJH60D1DPE-00#J3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 105,57 KB)
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RJH60D1DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max52W
Schaltenergie100µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/42ns
Testbedingung300V, 10A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

70µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/190ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGW35NC120HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

135A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 20A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/275ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

152ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGW40NC60V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

330µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

214nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/140ns

Testbedingung

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.41mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

173nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/180ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IKP01N120H2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

3.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

Leistung - max

28W

Schaltenergie

140µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/370ns

Testbedingung

800V, 1A, 241Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

83ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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