RJH65T04BDPMA0#T2F Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJH65T04BDPMA0#T2F
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A Leistung - max 65W Schaltenergie 360µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 74nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/115ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-94 Lieferantengerätepaket TO-3PFP |
