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IXBH16N170A

IXBH16N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH16N170A
PNEDA Teilenummer IXBH16N170A
Beschreibung IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.816
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IXBH16N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH16N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBH16N170A, IXBH16N170A Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 51,85 KB)
PDFIXBT16N170A Datenblatt Cover
IXBT16N170A Datenblatt Seite 2

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IXBH16N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/160ns
Testbedingung1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)360ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

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IRGB5B120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

390µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

600V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/65ns

Testbedingung

480V, 7A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IRGI4061DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.59V @ 15V, 11A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

52µJ (on), 231µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/111ns

Testbedingung

400V, 11A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGPF10N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

150µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/52.2ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37.7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

Leistung - max

63.5W

Schaltenergie

330µJ (on), 760µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/120ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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