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STGWA40H120DF2

STGWA40H120DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA40H120DF2
PNEDA Teilenummer STGWA40H120DF2
Beschreibung TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $54,4938
100 ---------- $51,9394
250 ---------- $49,3850
500 ---------- $46,8306
750 ---------- $44,7020
1.000 ---------- $42,5733
Auf Lager 3.040
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STGWA40H120DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA40H120DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA40H120DF2, STGWA40H120DF2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 819,58 KB)
PDFSTGWA40H120DF2 Datenblatt Cover
STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 2 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 3 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 4 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 5 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 6 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 7 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 8 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 9 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 10 STGWA40H120DF2 Datenblatt Seite 11

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STGWA40H120DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
Leistung - max468W
Schaltenergie1mJ (on), 1.32mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge158nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/152ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)488ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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NGTB50N60S1WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/237ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

94ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IXGH41N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 41A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/600ns

Testbedingung

480V, 41A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKA10N65ET6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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