NGTB40N120L3WG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTB40N120L3WG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NGTB40N120L3WG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 160A TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 6.193 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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NGTB40N120L3WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB40N120L3WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB40N120L3WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 454W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/150ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 555W Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/475ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 95A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 40A Leistung - max 460W Schaltenergie 2mJ (on), 630µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 196nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/123ns Testbedingung 600V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 75ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A Leistung - max 160W Schaltenergie 1.31mJ (on), 1.12mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/96ns Testbedingung 800V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 63ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 120A Leistung - max 1200W Schaltenergie 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/270ns Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 382µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
