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IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PH40KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PH40KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4PH40KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PH40KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PH40KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 15A
Leistung - max160W
Schaltenergie1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/96ns
Testbedingung800V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)63ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

*

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 120A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 4.41mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

66ns/185ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

202ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

MAX247™

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

53W

Schaltenergie

240µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220 Isolated Tab

STGD6NC60HT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

SKB06N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

215µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/220ns

Testbedingung

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

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