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IRG7PH28UD1PBF

IRG7PH28UD1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PH28UD1PBF
PNEDA Teilenummer IRG7PH28UD1PBF
Beschreibung IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.984
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IRG7PH28UD1PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PH28UD1PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG7PH28UD1PBF, IRG7PH28UD1PBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 392,41 KB)
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IRG7PH28UD1PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 15A
Leistung - max115W
Schaltenergie543µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/229ns
Testbedingung600V, 15A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IEWS20R5135IPBXKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

288W

Schaltenergie

1.21mJ (off)

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

668ns/2034ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-6

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-6

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

450µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/130ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGH75T65UPD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

3.68mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/216ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG8CH137K10F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

820nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

115ns/570ns

Testbedingung

600V, 150A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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