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IEWS20R5135IPBXKMA1

IEWS20R5135IPBXKMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IEWS20R5135IPBXKMA1
PNEDA Teilenummer IEWS20R5135IPBXKMA1
Beschreibung IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IEWS20R5135IPBXKMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIEWS20R5135IPBXKMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IEWS20R5135IPBXKMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1350V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 20A
Leistung - max288W
Schaltenergie1.21mJ (off)
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.668ns/2034ns
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-6
LieferantengerätepaketPG-TO247-6

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

360µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

IXBH14N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

NGTD28T65F2SWK

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

600µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

SGH15N60RUFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 356µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/44ns

Testbedingung

300V, 15A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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