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IEWS20R5135IPBXKMA1

IEWS20R5135IPBXKMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IEWS20R5135IPBXKMA1
PNEDA Teilenummer IEWS20R5135IPBXKMA1
Beschreibung IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IEWS20R5135IPBXKMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIEWS20R5135IPBXKMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IEWS20R5135IPBXKMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1350V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 20A
Leistung - max288W
Schaltenergie1.21mJ (off)
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.668ns/2034ns
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-6
LieferantengerätepaketPG-TO247-6

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 356µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/44ns

Testbedingung

300V, 15A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

AOK40B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

312.5W

Schaltenergie

1.72mJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/77ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

138ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGB4615DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 8A

Leistung - max

99W

Schaltenergie

70µJ (on), 145µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/95ns

Testbedingung

400V, 8A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXGT32N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

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Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

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Montagetyp

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Paket / Fall

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