Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IGW20N60H3FKSA1

IGW20N60H3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGW20N60H3FKSA1
PNEDA Teilenummer IGW20N60H3FKSA1
Beschreibung IGBT 600V 40A 170W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGW20N60H3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGW20N60H3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IGW20N60H3FKSA1 Datasheet
  • where to find IGW20N60H3FKSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IGW20N60H3FKSA1
  • IGW20N60H3FKSA1 PDF Datasheet
  • IGW20N60H3FKSA1 Stock

  • IGW20N60H3FKSA1 Pinout
  • Datasheet IGW20N60H3FKSA1
  • IGW20N60H3FKSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IGW20N60H3FKSA1 Price
  • IGW20N60H3FKSA1 Distributor

IGW20N60H3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Leistung - max170W
Schaltenergie800µJ
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/194ns
Testbedingung400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGP20B120UD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.85V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

850µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

169nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG4BC40W-LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

STGWT80H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGB3236-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

44A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

20nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5.4µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1050A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

28mJ (on), 30mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

540nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/320ns

Testbedingung

850V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Kürzlich verkauft

TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

ERA-3AEB101V

ERA-3AEB101V

Panasonic Electronic Components

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0603

AP1533SG-13

AP1533SG-13

Diodes Incorporated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8SOP

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

MAX3218EAP+

MAX3218EAP+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

LTM4616EV#PBF

LTM4616EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

RB521S30T5G

RB521S30T5G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

MMSZ5232B-7-F

MMSZ5232B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB