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NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB60N65FL2WG
PNEDA Teilenummer NGTB60N65FL2WG
Beschreibung 650V/60A IGBT FSII
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $83,6412
50 ---------- $79,7205
100 ---------- $75,7999
200 ---------- $71,8792
400 ---------- $68,6119
500 ---------- $65,3447
Auf Lager 5.533
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NGTB60N65FL2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB60N65FL2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB60N65FL2WG, NGTB60N65FL2WG Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 103,21 KB)
PDFNGTB60N65FL2WG Datenblatt Cover
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NGTB60N65FL2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
Leistung - max595W
Schaltenergie1.59mJ (on), 660µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge318nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.117ns/265ns
Testbedingung400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)96ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

409µJ (on), 838µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/144ns

Testbedingung

240V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

122ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

NGTB30N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 30A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/250ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG6I330U-110P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/120ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

SIGC109T120R3LEX1SA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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Die

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