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IXBH14N250

IXBH14N250

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH14N250
PNEDA Teilenummer IXBH14N250
Beschreibung IGBT 2500V TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXBH14N250 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH14N250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXBH14N250 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/96ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

92ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

80µJ (on), 320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/120ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-273AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

714W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

610nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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