STGW60H65DRF
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW60H65DRF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 420W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.140 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 2 - Jan 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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STGW60H65DRF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW60H65DRF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW60H65DRF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 420W |
| Schaltenergie | 940µJ (on), 1.06mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 217nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 85ns/178ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 19ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/51ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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