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APT15GP90KG

APT15GP90KG

Nur als Referenz

Teilenummer APT15GP90KG
PNEDA Teilenummer APT15GP90KG
Beschreibung IGBT 900V 43A 250W TO220
Hersteller Microsemi
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APT15GP90KG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT15GP90KG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
APT15GP90KG, APT15GP90KG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 389,29 KB)
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APT15GP90KG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)43A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 15A
Leistung - max250W
Schaltenergie200µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge60nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9ns/33ns
Testbedingung600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220 [K]

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

7.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

53.6W

Schaltenergie

90µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/128ns

Testbedingung

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

IRGS4715DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGH75T65UPD-F085

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

578nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/166ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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