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IXGT40N120B2D1

IXGT40N120B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT40N120B2D1
PNEDA Teilenummer IXGT40N120B2D1
Beschreibung IGBT 1200V 75A 380W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.374
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGT40N120B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT40N120B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT40N120B2D1, IXGT40N120B2D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 215,25 KB)
PDFIXGT40N120B2D1 Datenblatt Cover
IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 6 IXGT40N120B2D1 Datenblatt Seite 7

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IXGT40N120B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 40A
Leistung - max380W
Schaltenergie4.5mJ (on), 3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/290ns
Testbedingung960V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

310W

Schaltenergie

4.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/170ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

1.37mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/450ns

Testbedingung

600V, 8A, 81Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGP4050

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

208A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

45µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/120ns

Testbedingung

180V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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STGB8NC60KDT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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Paket / Fall

TO-247-3

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