APT150GN60LDQ4G
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| Teilenummer | APT150GN60LDQ4G |
| PNEDA Teilenummer | APT150GN60LDQ4G |
| Beschreibung | IGBT 600V 220A 536W TO-264L |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.784 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT150GN60LDQ4G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT150GN60LDQ4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT150GN60LDQ4G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 220A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 450A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 970nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/430ns |
| Testbedingung | 400V, 150A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 306W Schaltenergie 2.46mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25.6ns/71ns Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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