Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRGB10B60KDPBF

IRGB10B60KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGB10B60KDPBF
PNEDA Teilenummer IRGB10B60KDPBF
Beschreibung IGBT 600V 22A 156W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGB10B60KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGB10B60KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRGB10B60KDPBF Datasheet
  • where to find IRGB10B60KDPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRGB10B60KDPBF
  • IRGB10B60KDPBF PDF Datasheet
  • IRGB10B60KDPBF Stock

  • IRGB10B60KDPBF Pinout
  • Datasheet IRGB10B60KDPBF
  • IRGB10B60KDPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRGB10B60KDPBF Price
  • IRGB10B60KDPBF Distributor

IRGB10B60KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)44A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 10A
Leistung - max156W
Schaltenergie140µJ (on), 250µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge38nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/230ns
Testbedingung400V, 10A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG7PH35UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 620µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

AUIRGR4045D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

IXBT42N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG4BC20U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

MMSZ5232B-7-F

MMSZ5232B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

OKL-T/6-W12P-C

OKL-T/6-W12P-C

Murata Power Solutions

DC DC CONVERTER 0.591-5.5V 30W

2873000202

2873000202

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

AUIPS2031R

AUIPS2031R

Infineon Technologies

IC SW IPS 1CH LOW SIDE DPAK

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

744066101

744066101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 1.2A 300 MOHM

EEE-FK1V100R

EEE-FK1V100R

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO

74HC273D

74HC273D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC